IRFD120

￥ 3.305

IRFD120 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

DIP-4

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IRFD120 数据手册 (9 页)

或点击图片查看大图

IRFD120 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

DIP-4

功耗

1.3W (Ta)

漏源极电压(Vds)

100 V

输入电容值(Ciss)

360pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

1.3W (Ta)

IRFD120 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFD120 符合标准

IRFD120 概述

IRFD120 数据手册

IRFD120 其他数据使用手册

Vishay Siliconix

9 页 / 1.78 MByte

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