IRFD120

器件3D模型

￥ 0

IRFD120 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

DIP-4

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFD120 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRFD120 数据手册 (9 页)

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IRFD120 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

4 Pin

封装

DIP-4

功耗

1.3 W

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

27 ns

输入电容值(Ciss)

360pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1.3 W

下降时间

17 ns

查看数据手册 >

IRFD120 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃

查看数据手册 >

IRFD120 符合标准

IRFD120 数据手册

IRFD120 数据手册

VISHAY（威世）

9 页 / 1.81 MByte

IRFD120 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

9 页 / 1.78 MByte

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