器件3D模型

￥ 0.548

IRFD123PBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

DIP-4

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFD123PBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRFD123PBF 数据手册 (9 页)

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IRFD123PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

4 Pin

封装

DIP-4

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.27 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.3 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

1.30 A

上升时间

17 ns

下降时间

8.9 ns

工作温度(Max)

175 ℃

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IRFD123PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃

最小包装数量

2500

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IRFD123PBF 符合标准

IRFD123PBF 数据手册

VISHAY（威世）

9 页 / 1.78 MByte

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