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IRFD220PBF
1.963
IRFD220PBF 数据手册 (9 页)
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IRFD220PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
DIP-4
功耗
1W (Ta)
漏源极电压(Vds)
200 V
输入电容值(Ciss)
260pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1 W
耗散功率(Max)
1W (Ta)

IRFD220PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFD220PBF 数据手册

Vishay Siliconix
9 页 / 1.84 MByte
Vishay Siliconix
9 页 / 1.84 MByte

IRFD220 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Fairchild(飞兆/仙童)
0.8A , 200V , 0.800 Ohm的N通道功率MOSFET 0.8A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFD220PBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.3 A, 200 V, 800 mohm, 10 V, 4 V
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Precision Group
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