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IRFD9014 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

P沟道MOS管

封装:

HVMDIP-4

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFD9014 数据手册 (10 页)

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IRFD9014 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

-60.0 V

额定电流

-1.10 A

封装

HVMDIP-4

通道数

1 Channel

漏源极电阻

500 mΩ (max)

极性

P-Channel

功耗

1.30 W

漏源极电压(Vds)

60.0 V

漏源击穿电压

-60.0 V

连续漏极电流(Ids)

-1.10 A

上升时间

63.0 ns

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IRFD9014 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

宽度

6.29 mm

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IRFD9014 符合标准

IRFD9014 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

10 页 / 1.71 MByte

IRFD9014 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 1.7 MByte

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