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IRFD9014PBF
0.538

IRFD9014PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
DIP-4
功耗
1.3W (Ta)
漏源极电压(Vds)
60 V
输入电容值(Ciss)
270pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1.3 W
耗散功率(Max)
1.3W (Ta)

IRFD9014PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFD9014PBF 数据手册

Vishay Siliconix
9 页 / 1.71 MByte
Vishay Siliconix
9 页 / 1.7 MByte
Vishay Siliconix
1 页 / 0.13 MByte

IRFD9014 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -60V , RDS(ON) = 0.50ohm ,ID = -1.1A ) Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-1.1A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFD9014PBF  场效应管, MOSFET, P沟道
Vishay Siliconix
Vishay Intertechnology
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