￥ 0.884

IRFD9024PBF 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

DIP-4

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IRFD9024PBF 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRFD9024PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

DIP-4

功耗

1.3 W

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

68 ns

输入电容值(Ciss)

570pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1.3 W

下降时间

29 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.3W (Ta)

IRFD9024PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFD9024PBF 符合标准

IRFD9024PBF 概述

IRFD9024PBF 数据手册

IRFD9024PBF 其他数据使用手册

Vishay Siliconix

9 页 / 1.64 MByte

IRFD9024PBF 其他参考文件

Vishay Siliconix

1 页 / 0.13 MByte

IRFD9024 数据手册

Vishay Siliconix

IRFD9024 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRFD9024 数据手册

VISHAY（威世）

IRFD9024 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

IRFD9024 数据手册

IRF

功率MOSFET （ VDSS = -60V ， RDS（ON） = 0.28ohm ，ID = -1.6A ） Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-1.6A)

IRFD9024PBF 数据手册

VISHAY（威世）

P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

IRFD9024PBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY IRFD9024PBF. 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.6 A, -60 V, 280 mohm, -10 V, -4 V

IRFD9024PBF 数据手册

Vishay Siliconix

IRFD9024PBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRFD9024PBF 数据手册

Vishay Intertechnology

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号