器件3D模型

￥ 0.251

IRFH3702TRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

QFN-8

描述:

INFINEON IRFH3702TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 30 V, 0.0057 ohm, 10 V, 1.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFH3702TRPBF 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页

IRFH3702TRPBF 数据手册 (10 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRFH3702TRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

QFN-8

额定功率

2.8 W

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0057 Ω

极性

N-CH

功耗

2.8 W

阈值电压

1.8 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

16A

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

1510pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

2.8 W

下降时间

5.8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.8W (Ta)

查看数据手册 >

IRFH3702TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3 mm

宽度

3 mm

高度

0.95 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IRFH3702TRPBF 符合标准

IRFH3702TRPBF 概述

IRFH3702TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.26 MByte

IRFH3702TRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRFH3702TRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

27 页 / 0.31 MByte

IRFH3702TRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRFH3702TRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRFH3702 数据手册

Infineon（英飞凌）

IRFH3702TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRFH3702TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 30 V, 0.0057 ohm, 10 V, 1.8 V

IRFH3702TRPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRFH3702TR2PBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRFH3702TR2PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号