IRFH5053TR2PBF

￥ 0.966

IRFH5053TR2PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PowerVDFN-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IRFH5053TR2PBF 数据手册 (3 页)

或点击图片查看大图

IRFH5053TR2PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerVDFN-8

极性

N-CH

功耗

3.1W (Ta), 8.3W (Tc)

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

25A

上升时间

14.6 ns

输入电容值(Ciss)

1510pF @50V(Vds)

下降时间

9.9 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.1W (Ta), 8.3W (Tc)

IRFH5053TR2PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFH5053TR2PBF 符合标准

IRFH5053TR2PBF 数据手册

IRFH5053TR2PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.36 MByte

IRFH5053TR2PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.24 MByte

IRFH5053TR2 数据手册

IRFH5053TR2PBF 数据手册

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