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IRFH5300TRPBF
0.36
IRFH5300TRPBF 数据手册 (9 页)
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IRFH5300TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
QFN-8
额定功率
3.6 W
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0011 Ω
极性
N-Channel
功耗
250 W
阈值电压
1.8 V
输入电容
7200 pF
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
40A
上升时间
30 ns
输入电容值(Ciss)
7200pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
3.6 W
下降时间
13 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.6W (Ta), 250W (Tc)

IRFH5300TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6 mm
宽度
5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFH5300TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.25 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.11 MByte

IRFH5300 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFH5300TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0011 ohm, 10 V, 1.8 V 新
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
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