输入电容值(Ciss)
4400pF @15V(Vds)
耗散功率(Max)
3.6W (Ta), 100W (Tc)
●表面贴装型 N 通道 30 V 32A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),100W(Tc) PQFN(5x6)单芯片焊盘
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PQFN(5x6)单芯片焊盘
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MOSFET 30 V FETky(单片式FET及肖特基二极管) 100 A 2.5 mOhm 26 nC Qg PQFN
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INFINEON IRFH5302TR2PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 30 V, 0.0018 ohm, 10 V, 1.8 V
International Rectifier(国际整流器)
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N 通道功率 MOSFET 20A 至 29A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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