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IRFH7004TRPBF
0.764
IRFH7004TRPBF 数据手册 (11 页)
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IRFH7004TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PQFN-8
通道数
1 Channel
针脚数
5 Position
漏源极电阻
0.0011 Ω
极性
N-Channel
功耗
156 W
阈值电压
3 V
输入电容
6419 pF
漏源极电压(Vds)
40 V
漏源击穿电压
40 V
连续漏极电流(Ids)
259A
上升时间
51 ns
输入电容值(Ciss)
6419pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
156 W
下降时间
49 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
156W (Tc)

IRFH7004TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
6 mm
宽度
5 mm
高度
0.85 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFH7004TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.26 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.06 MByte

IRFH7004 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
StrongIRFET™ 功率 MOSFET,InfineonInfineon 的 **StrongIRFE** 系列经过优化,RDS(接通)低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性,特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用,包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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Infineon(英飞凌)
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