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IRFHM830TRPBF
器件3D模型
0.197
IRFHM830TRPBF 数据手册 (9 页)
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IRFHM830TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
QFN-8
额定功率
2.7 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.003 Ω
极性
N-Channel
功耗
2.7 W
阈值电压
1.8 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
21A
上升时间
25 ns
输入电容值(Ciss)
2155pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.7 W
下降时间
9.2 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2700 mW

IRFHM830TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.3 mm
宽度
3.3 mm
高度
1.05 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFHM830TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.51 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 1.32 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.1 MByte

IRFHM830 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFHM830TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 3 mohm, 10 V, 1.8 V
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
N 通道功率 MOSFET 20A 至 29A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
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