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IRFI540GPBF
1.699
IRFI540GPBF 数据手册 (6 页)
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IRFI540GPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.077 Ω
极性
N-Channel
功耗
48 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
17.0 A
上升时间
44 ns
输入电容值(Ciss)
1700pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
48 W
下降时间
43 ns
工作温度(Max)
175 ℃

IRFI540GPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃
最小包装数量
50

IRFI540GPBF 数据手册

VISHAY(威世)
6 页 / 0.17 MByte
VISHAY(威世)
2 页 / 0.12 MByte

IRFI540 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFI540NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 100 V, 52 mohm, 10 V, 4 V
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFI540NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 20A, TO-220FP 新
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFI540GPBF  场效应管, MOSFET, N沟道
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Infineon(英飞凌)
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