￥ 6.719

IRFI640GPBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFI640GPBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRFI640GPBF 数据手册 (9 页)

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IRFI640GPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.18 Ω

极性

N-Channel

功耗

40 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

9.80 A

上升时间

51 ns

输入电容值(Ciss)

1300pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

40 W

下降时间

36 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

40 W

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IRFI640GPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

高度

9.8 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

查看数据手册 >

IRFI640GPBF 符合标准

IRFI640GPBF 概述

IRFI640GPBF 数据手册

VISHAY（威世）

9 页 / 1.14 MByte

IRFI640GPBF 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

8 页 / 0.81 MByte

IRFI640GPBF 产品修订记录

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2 页 / 0.12 MByte

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