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IRFI840G
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IRFI840G 数据手册 (9 页)
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IRFI840G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
功耗
40W (Tc)
漏源极电压(Vds)
500 V
输入电容值(Ciss)
1300pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
40W (Tc)

IRFI840G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
宽度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFI840G 数据手册

Vishay Siliconix
9 页 / 2.72 MByte
Vishay Siliconix
8 页 / 2.72 MByte

IRFI840 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFI840GPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.6 A, 500 V, 850 mohm, 10 V, 4 V
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFI840GLCPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 40W, TO-220 FULLPAK
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
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