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IRFIB7N50A
4.98
IRFIB7N50A 数据手册 (3 页)
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IRFIB7N50A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
500 V
额定电流
6.60 A
封装
TO-220
漏源极电阻
0.52 Ω
极性
N-Channel
功耗
60 W
输入电容
1423pF @25V
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
连续漏极电流(Ids)
6.60 A
上升时间
35.0 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRFIB7N50A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
长度
10.6 mm
高度
16 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRFIB7N50A 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
3 页 / 0.05 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
8 页 / 0.13 MByte

IRFIB7N50 数据手册

VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,500V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
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VISHAY  IRFIB7N50APBF  场效应管, MOSFET, N沟道
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