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IRFIBC30GPBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-220

描述:

N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFIBC30GPBF 数据手册 (9 页)

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IRFIBC30GPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

2.50 A

封装

TO-220

额定功率

35 W

漏源极电阻

2.2 Ω

极性

N-Channel

功耗

35 W

阈值电压

4 V

输入电容

660pF @25V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

2.50 A

上升时间

13.0 ns

输入电容值(Ciss)

660pF @25V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

35 W

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IRFIBC30GPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

长度

10.63 mm

高度

16.12 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IRFIBC30GPBF 符合标准

IRFIBC30GPBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 0.9 MByte

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