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IRFIBC30GPBF
1.135
IRFIBC30GPBF 数据手册 (9 页)
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IRFIBC30GPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
2.50 A
封装
TO-220
额定功率
35 W
漏源极电阻
2.2 Ω
极性
N-Channel
功耗
35 W
阈值电压
4 V
输入电容
660pF @25V
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
连续漏极电流(Ids)
2.50 A
上升时间
13.0 ns
输入电容值(Ciss)
660pF @25V(Vds)
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
35 W

IRFIBC30GPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
长度
10.63 mm
高度
16.12 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRFIBC30GPBF 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
9 页 / 0.9 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
8 页 / 0.9 MByte

IRFIBC30 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(ON) = 2.2ohm ,ID = 2.5A ) Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=2.5A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
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