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IRFIZ48N
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IRFIZ48N 数据手册 (8 页)
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IRFIZ48N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
55.0 V
额定电流
36.0 A
极性
N-Channel
功耗
42.0 W
零部件系列
IRFIZ48N
漏源极电压(Vds)
55.0 V
漏源击穿电压
55.0V (min)
连续漏极电流(Ids)
36.0 A
上升时间
78.0 ns

IRFIZ48N 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.1 MByte

IRFIZ48 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(ON) = 0.016ohm ,ID = 36A ) Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=36A)
Infineon(英飞凌)
TO-220AB 整包
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFIZ48NPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 42W, TO-220 FULLPAK
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,60V 至 90V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
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