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IRFL014PBF
0.304
IRFL014PBF 数据手册 (9 页)
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IRFL014PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
2.70 A
封装
TO-261-4
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.2 Ω
极性
N-Channel
功耗
2 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
连续漏极电流(Ids)
2.70 A
上升时间
50.0 ns
输入电容值(Ciss)
300pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2 W

IRFL014PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
6.7 mm
宽度
3.7 mm
高度
1.45 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFL014PBF 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 0.28 MByte
VISHAY(威世)
10 页 / 0.15 MByte

IRFL014 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Vishay Intertechnology
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFL014NTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 55 V, 0.16 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFL014NTRPBF  场效应管, MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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