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IRFL110TRPBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-223

描述:

VISHAY IRFL110TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 540 mohm, 10 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFL110TRPBF 数据手册 (8 页)

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IRFL110TRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

SOT-223

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.54 Ω

极性

N-Channel

功耗

2 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

1.50 A

上升时间

16 ns

输入电容值(Ciss)

180pF @25V(Vds)

下降时间

9.4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.1 W

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IRFL110TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.7 mm

宽度

3.7 mm

高度

1.8 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IRFL110TRPBF 符合标准

IRFL110TRPBF 海关信息

IRFL110TRPBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

8 页 / 1.41 MByte

IRFL110TRPBF 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 0.34 MByte

IRFL110TRPBF 产品修订记录

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2 页 / 0.04 MByte

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