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IRFM120ATF
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IRFM120ATF 数据手册 (7 页)
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IRFM120ATF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
2.30 A
封装
TO-261-4
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.2 Ω
极性
N-Channel
功耗
2.4 W
阈值电压
4 V
输入电容
480 pF
栅电荷
22.0 nC
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
2.30 A
上升时间
14 ns
输入电容值(Ciss)
480pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.4 W
下降时间
28 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.4W (Ta)

IRFM120ATF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.7 mm
宽度
3.7 mm
高度
1.7 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFM120ATF 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.25 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.26 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.06 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

IRFM120 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  IRFM120ATF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 100 V, 0.2 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET IRFM120ATF, 2.3 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
Fairchild(飞兆/仙童)
符合IEEE802.3af兼容 IEEE802.3af Compatible
ON Semiconductor(安森美)
Samsung(三星)
Fenghua(风华高科)
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