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IRFP044N
0.79
IRFP044N 数据手册 (9 页)
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IRFP044N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-247-3
极性
N-CH
功耗
120W (Tc)
漏源极电压(Vds)
55 V
连续漏极电流(Ids)
53A
输入电容值(Ciss)
1500pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
120W (Tc)

IRFP044N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFP044N 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 1.5 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRFP044 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(ON) = 0.028ohm ,ID = 57A ) Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFP044NPBF  晶体管, MOSFET, 通用, N沟道, 49 A, 55 V, 20 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFP044NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 53A TO-247AC 新
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
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