￥ 2.723

IRFP054PBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IRFP054PBF 数据手册 (6 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRFP054PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

70.0 A

封装

TO-247-3

额定功率

230 W

漏源极电阻

14.0 Ω

极性

N-Channel

功耗

230 W

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

70.0 A

上升时间

160 ns

输入电容值(Ciss)

4500pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

230 W

下降时间

150 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

230 W

IRFP054PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.87 mm

宽度

5.31 mm

高度

20.82 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

最小包装数量

500

IRFP054PBF 符合标准

IRFP054PBF 概述

IRFP054PBF 数据手册

IRFP054PBF 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

6 页 / 0.16 MByte

IRFP054 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRFP054 数据手册

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRFP054 数据手册

Vishay Siliconix

IRFP054 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRFP054 数据手册

Infineon（英飞凌）

IRFP054 数据手册

IRF

功率MOSFET （ VDSS = 60V ， RDS（ON） = 0.014ohm ，ID = 70 * A） Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)

IRFP054 数据手册

Vishay Intertechnology

IRFP054NPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRFP054PBF 数据手册

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRFP054NPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

N沟道,55V,81A,12mΩ@10V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号