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IRFP054VPBF
2.326
IRFP054VPBF 数据手册 (8 页)
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IRFP054VPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
93.0 A
封装
TO-247-3
极性
N-Channel
功耗
180 W
零部件系列
IRFP054V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
连续漏极电流(Ids)
93.0 A
上升时间
160 ns
输入电容值(Ciss)
4080pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
180 W

IRFP054VPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bag

IRFP054VPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.21 MByte

IRFP054 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(ON) = 0.014ohm ,ID = 70 * A) Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
Vishay Intertechnology
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,55V,81A,12mΩ@10V
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