Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > International Rectifier(国际整流器) > IRFP064NPBF Datasheet 文档
IRFP064NPBF
0.611
IRFP064NPBF 数据手册 (8 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRFP064NPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
55.0 V
额定电流
110 A
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.008 Ω
极性
N-Channel
功耗
200 W
零部件系列
IRFP064N
阈值电压
4 V
输入电容
4000pF @25V
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
55 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
110 A
上升时间
100 ns
输入电容值(Ciss)
4000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
200 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRFP064NPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
15.9 mm
高度
20.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRFP064NPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.28 MByte
International Rectifier(国际整流器)
20 页 / 2.6 MByte
International Rectifier(国际整流器)
27 页 / 1.55 MByte
International Rectifier(国际整流器)
3 页 / 0.03 MByte
International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 2.48 MByte

IRFP064 数据手册

Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Intertechnology
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(ON) = 0.009ohm ,ID = 70 * A) Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFP064NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFP064NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 110A, TO-247AC 新
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRFP064 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z