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IRFP22N50APBF
3.427
IRFP22N50APBF 数据手册 (9 页)
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IRFP22N50APBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
500 V
额定电流
22.0 A
封装
TO-247-3
额定功率
277 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.23 Ω
极性
N-Channel
功耗
277 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
连续漏极电流(Ids)
22.0 A
上升时间
94 ns
输入电容值(Ciss)
3450pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
277 W
下降时间
47 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
277 W

IRFP22N50APBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
高度
20.7 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
500

IRFP22N50APBF 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 0.3 MByte
VISHAY(威世)
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IRFP22N50 数据手册

VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,500V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFP22N50APBF.  场效应管, MOSFET, N沟道
Vishay Siliconix
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