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IRFP250N
2.462
IRFP250N 数据手册 (9 页)
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IRFP250N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
200 V
额定电流
30.0 A
封装
TO-247
漏源极电阻
75.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
214 W
零部件系列
IRFP250N
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200V (min)
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
30.0 A
上升时间
43 ns
下降时间
33 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
214000 mW

IRFP250N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk

IRFP250N 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.19 MByte
International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.17 MByte

IRFP250 数据手册

IXYS Semiconductor
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N沟道200V - 0.073ohm - 33A TO- 247的PowerMESH II MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.073ohm - 33A TO-247 PowerMesh II MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
Infineon(英飞凌)
Samsung(三星)
Intersil(英特矽尔)
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