Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Semiconductor(威世) > IRFP250PBF Datasheet 文档
IRFP250PBF
0.786
IRFP250PBF 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRFP250PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
200 V
额定电流
30.0 A
封装
TO-247
额定功率
190 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.085 Ω
极性
N-Channel
功耗
190 W
阈值电压
4 V
输入电容
2800pF @25V
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
30.0 A
上升时间
86 ns
输入电容值(Ciss)
2800pF @25V(Vds)
下降时间
62 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
190000 mW

IRFP250PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
高度
20.7 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRFP250PBF 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
9 页 / 1.42 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
9 页 / 1.42 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
2 页 / 0.2 MByte

IRFP250 数据手册

IXYS Semiconductor
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道200V - 0.073ohm - 33A TO- 247的PowerMESH II MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.073ohm - 33A TO-247 PowerMesh II MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
Infineon(英飞凌)
Samsung(三星)
Intersil(英特矽尔)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRFP250 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z