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IRFP27N60KPBF
4.894
IRFP27N60KPBF 数据手册 (11 页)
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IRFP27N60KPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.22 Ω
极性
N-Channel
功耗
500 W
阈值电压
5 V
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
27.0 A
上升时间
110 ns
输入电容值(Ciss)
4660pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
500 W
下降时间
38 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500000 mW

IRFP27N60KPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFP27N60KPBF 数据手册

VISHAY(威世)
11 页 / 0.21 MByte
VISHAY(威世)
10 页 / 0.2 MByte

IRFP27N60 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFP27N60KPBF.  场效应管, MOSFET, N沟道
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Intertechnology
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(ON) (典型值) = 180mohm ,ID = 27A ) Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)typ.=180mohm, Id=27A)
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