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IRFP27N60KPBF
5.562
IRFP27N60KPBF 数据手册 (9 页)
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IRFP27N60KPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-247-3
功耗
500000 mW
漏源极电压(Vds)
600 V
上升时间
110 ns
输入电容值(Ciss)
4660pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
500 W
下降时间
38 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
500W (Tc)

IRFP27N60KPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFP27N60KPBF 数据手册

Vishay Siliconix
9 页 / 0.18 MByte
Vishay Siliconix
1 页 / 0.12 MByte

IRFP27N60 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFP27N60KPBF.  场效应管, MOSFET, N沟道
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Intertechnology
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(ON) (典型值) = 180mohm ,ID = 27A ) Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)typ.=180mohm, Id=27A)
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