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IRFP2907PBF
1.565
IRFP2907PBF 数据手册 (9 页)
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IRFP2907PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
额定功率
330 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
4.5 mΩ
极性
N-Channel
功耗
470 W
阈值电压
4 V
输入电容
13000 pF
漏源极电压(Vds)
75 V
漏源击穿电压
75 V
连续漏极电流(Ids)
209A
上升时间
190 ns
输入电容值(Ciss)
13000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
470 W
下降时间
130 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
470W (Tc)

IRFP2907PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
15.87 mm
宽度
5.3 mm
高度
20.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFP2907PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.21 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.03 MByte

IRFP2907 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(ON) = 4.5mohm ,ID = 209A ) Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=4.5mohm, Id=209A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFP2907PBF  晶体管, MOSFET, 通用, N沟道, 209 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFP2907ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,75V,209A,4.5mΩ@10V
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
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