￥ 1.329

IRFP4368PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

INFINEON IRFP4368PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 350 A, 75 V, 0.00146 ohm, 20 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFP4368PBF 数据手册 (8 页)

封装尺寸在8 页

IRFP4368PBF 数据手册 (8 页)

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IRFP4368PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

额定功率

520 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.00146 Ω

极性

N-Channel

功耗

520 W

阈值电压

4 V

输入电容

19230 pF

漏源极电压(Vds)

75 V

漏源击穿电压

75 V

连续漏极电流(Ids)

350A

上升时间

220 ns

输入电容值(Ciss)

19230pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

520 W

下降时间

260 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

520W (Tc)

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IRFP4368PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.87 mm

宽度

5.31 mm

高度

20.7 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRFP4368PBF 符合标准

IRFP4368PBF 海关信息

IRFP4368PBF 概述