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IRFP450LCPBF
4.683
IRFP450LCPBF 数据手册 (8 页)
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IRFP450LCPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
额定功率
190 W
漏源极电阻
400 mΩ
极性
N-Channel
功耗
190 W
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
14.0 A
上升时间
49 ns
输入电容值(Ciss)
2200pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
190 W
下降时间
30 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
190 W

IRFP450LCPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
高度
20.7 mm
最小包装数量
500

IRFP450LCPBF 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 1.51 MByte
VISHAY(威世)
9 页 / 1.53 MByte

IRFP450 数据手册

IXYS Semiconductor
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 500V - 0.33ohm - 14A - TO- 247的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 500V - 0.33ohm - 14A - TO-247 PowerMESH] MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Samsung(三星)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(ON) = 0.40ohm ,ID = 14A) Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.40ohm, Id=14A)
Fairchild(飞兆/仙童)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
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