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IRFPC50APBF
1.469
IRFPC50APBF 数据手册 (3 页)
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IRFPC50APBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
11.0 A
封装
TO-247
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.58 Ω
极性
N-Channel
功耗
180 W
阈值电压
4 V
输入电容
2100pF @25V
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
连续漏极电流(Ids)
11.0 A
上升时间
40.0 ns
输入电容值(Ciss)
2100pF @25V(Vds)
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
180 W

IRFPC50APBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
高度
20.7 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRFPC50APBF 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
3 页 / 0.13 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
20 页 / 2.6 MByte

IRFPC50 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFPC50PBF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 600 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,600V,11A,600mΩ@10V
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFPC50LCPBF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 600 mohm, 10 V, 2 V
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