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IRFPC60LCPBF
3.66
IRFPC60LCPBF 数据手册 (9 页)
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IRFPC60LCPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
漏源极电阻
400 mΩ
极性
N-Channel
功耗
280 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
16.0 A
输入电容值(Ciss)
3500pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
280 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
280 W

IRFPC60LCPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
高度
20.7 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
500

IRFPC60LCPBF 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 0.64 MByte
VISHAY(威世)
9 页 / 0.64 MByte

IRFPC60 数据手册

Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(ON) = 0.40ohm ,ID = 16A) Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.40ohm, Id=16A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFPC60PBF  场效应管, MOSFET, N沟道
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
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