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IRFPE40PBF
2.601
IRFPE40PBF 数据手册 (7 页)
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IRFPE40PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
800 V
额定电流
5.40 A
封装
TO-247-3
额定功率
150 W
漏源极电阻
2 Ω
极性
N-Channel
功耗
150 W
漏源极电压(Vds)
800 V
漏源击穿电压
800 V
连续漏极电流(Ids)
5.40 A
上升时间
36 ns
输入电容值(Ciss)
1900pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
150 W
下降时间
32 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150 W

IRFPE40PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
高度
20.7 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
500

IRFPE40PBF 数据手册

VISHAY(威世)
7 页 / 0.87 MByte
VISHAY(威世)
9 页 / 0.78 MByte

IRFPE40 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 800V , RDS(ON) = 2.0ohm ,ID = 5.4A ) Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=2.0ohm, Id=5.4A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,800V,5.4A,2Ω@10V
Vishay Siliconix
Vishay Intertechnology
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