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IRFPE50PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-247

描述:

VISHAY IRFPE50PBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.8 A, 800 V, 1.2 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFPE50PBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRFPE50PBF 数据手册 (9 页)

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IRFPE50PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

800 V

额定电流

7.80 A

封装

TO-247

额定功率

190 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.2 Ω

极性

N-Channel

功耗

190 W

阈值电压

4 V

输入电容

3100pF @25V

漏源极电压(Vds)

800 V

漏源击穿电压

800 V

连续漏极电流(Ids)

7.80 A

上升时间

38 ns

输入电容值(Ciss)

3100pF @25V(Vds)

下降时间

39 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

190 W

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IRFPE50PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

长度

15.87 mm

宽度

5.31 mm

高度

20.7 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IRFPE50PBF 符合标准

IRFPE50PBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 1.57 MByte

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