Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY(威世) > IRFPE50PBF Datasheet 文档
IRFPE50PBF
3.4
IRFPE50PBF 数据手册 (11 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRFPE50PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
800 V
额定电流
7.80 A
封装
TO-247-3
额定功率
190 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
1.2 Ω
极性
N-Channel
功耗
190 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
800 V
漏源击穿电压
800 V
连续漏极电流(Ids)
7.80 A
上升时间
38 ns
输入电容值(Ciss)
3100pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
190 W
下降时间
39 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
190 W

IRFPE50PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
高度
20.7 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
500

IRFPE50PBF 数据手册

VISHAY(威世)
11 页 / 1.6 MByte
VISHAY(威世)
19 页 / 0.34 MByte

IRFPE50 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 800V , RDS(ON) = 1.2ohm ,ID = 7.8A ) Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=1.2ohm, Id=7.8A)
International Semiconductor
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFPE50PBF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.8 A, 800 V, 1.2 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,800V,7.8A,1.2Ω@10V
Vishay Siliconix
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRFPE50 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z