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IRFPG50PBF
1.379
IRFPG50PBF 数据手册 (8 页)
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IRFPG50PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
1.00 kV
额定电流
6.10 A
封装
TO-247
极性
N-Channel
功耗
190 W
漏源击穿电压
1.00 kV
连续漏极电流(Ids)
6.10 A

IRFPG50PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk

IRFPG50PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.25 MByte
International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 1.06 MByte

IRFPG50 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
TT Electronics/IRC
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 1000V , RDS(ON) = 2.0ohm ,ID = 6.1A ) Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=2.0ohm, Id=6.1A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFPG50PBF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1 kV, 2 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,1000V,6.1A,2Ω@10V
Vishay Siliconix
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