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IRFPS37N50APBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SUPER-247

描述:

VISHAY IRFPS37N50APBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 500 V, 130 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFPS37N50APBF 数据手册 (2 页)

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IRFPS37N50APBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

SUPER-247

额定功率

446 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.13 Ω

极性

N-Channel

功耗

446 W

阈值电压

2 V

输入电容

5579pF @25V

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

400 V

连续漏极电流(Ids)

36.0 A

输入电容值(Ciss)

5579pF @25V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

446000 mW

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IRFPS37N50APBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

长度

16.1 mm

高度

20.8 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IRFPS37N50APBF 符合标准

IRFPS37N50APBF 海关信息

IRFPS37N50APBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

2 页 / 0.05 MByte

IRFPS37N50APBF 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 0.17 MByte

IRFPS37N50APBF 产品修订记录

Vishay Semiconductor（威世）

2 页 / 0.04 MByte

IRFPS37N50 数据手册

IRF

功率MOSFET （ VDSS = 500V ， RDS（ON）最大值= 0.13ohm ，ID = 36A ） Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.13ohm, Id=36A)

IRFPS37N50APBF 数据手册

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRFPS37N50APBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY IRFPS37N50APBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 500 V, 130 mohm, 10 V, 4 V

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