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IRFPS40N50L
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IRFPS40N50L 数据手册 (10 页)
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IRFPS40N50L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-247-3
通道数
1 Channel
功耗
540W (Tc)
漏源极电压(Vds)
500 V
输入电容值(Ciss)
8110pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
540W (Tc)

IRFPS40N50L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
宽度
5.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFPS40N50L 数据手册

Vishay Siliconix
10 页 / 0.18 MByte
Vishay Siliconix
9 页 / 0.18 MByte

IRFPS40N50 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFPS40N50LPBF..  晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 500 V, 0.087 ohm, 10 V, 5 V
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Vishay Intertechnology
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Precision Group
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(ON) (典型值) = 0.087ohm ,ID = 46A ) Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.087ohm, Id=46A)
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