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IRFR1018EPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

INFINEON IRFR1018EPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 60 V, 7.1 mohm, 20 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFR1018EPBF 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页 9 页

IRFR1018EPBF 数据手册 (10 页)

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IRFR1018EPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

额定功率

110 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0071 Ω

极性

N-Channel

功耗

110 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

79A

上升时间

35 ns

输入电容值(Ciss)

2290pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

110 W

下降时间

46 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

110W (Tc)

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IRFR1018EPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRFR1018EPBF 符合标准

IRFR1018EPBF 概述

IRFR1018EPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.36 MByte

IRFR1018EPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRFR1018EPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRFR1018EPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRFR1018EPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

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