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IRFR13N20DTRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 200 V, 0.235 ohm, 10 V, 5.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFR13N20DTRPBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在8 页 9 页

IRFR13N20DTRPBF 数据手册 (11 页)

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IRFR13N20DTRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

额定功率

110 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

235 mΩ

极性

N-Channel

功耗

110 W

阈值电压

5.5 V

输入电容

830 pF

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

连续漏极电流(Ids)

13A

上升时间

27 ns

输入电容值(Ciss)

830pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

110 W

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

110W (Tc)

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IRFR13N20DTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRFR13N20DTRPBF 符合标准

IRFR13N20DTRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.66 MByte

IRFR13N20DTRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

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IRFR13N20DTRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRFR13N20DTRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

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IRFR13N20DTRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

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IRFR13N20DTRPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

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功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON）最大值= 0.235ohm ，ID = 13A） Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A)

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