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IRFR2407TRLPBF
0.52
IRFR2407TRLPBF 数据手册 (11 页)
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IRFR2407TRLPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
极性
N-Channel
功耗
110 W
漏源极电压(Vds)
75 V
连续漏极电流(Ids)
42A
上升时间
90 ns
输入电容值(Ciss)
2400pF @25V(Vds)
下降时间
66 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
110W (Tc)

IRFR2407TRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFR2407TRLPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.37 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRFR2407 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
N沟道,75V,42A,26mΩ@10V
Infineon(英飞凌)
N沟道 75V 42A
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFR2407PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 75 V, 26 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRFR2407TRLPBF DPAK
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFR2407PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 75V, 42A, D-PAKS 新
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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