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IRFR3410TRPBF
0.259
IRFR3410TRPBF 数据手册 (11 页)
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IRFR3410TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
额定功率
110 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.034 Ω
极性
N-Channel
功耗
110 W
阈值电压
4 V
输入电容
1690 pF
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
31A
上升时间
27 ns
输入电容值(Ciss)
1690pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3 W
下降时间
13 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3W (Ta), 110W (Tc)

IRFR3410TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFR3410TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.22 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.06 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.11 MByte

IRFR3410 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFR3410TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 100 V, 0.034 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFR3410PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 100 V, 39 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 100 V, 0.034 ohm, 10 V, 2 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,100V,31A,39mΩ@10V
International Rectifier(国际整流器)
100V,31A,N沟道MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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