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IRFR4105ZPBF
0.105
IRFR4105ZPBF 数据手册 (11 页)
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IRFR4105ZPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
额定功率
48 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0245 Ω
极性
N-Channel
功耗
48 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
55 V
连续漏极电流(Ids)
30A
上升时间
40 ns
输入电容值(Ciss)
740pF @25V(Vds)
下降时间
24 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
48W (Tc)

IRFR4105ZPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFR4105ZPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRFR4105 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 55 V, 0.045 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 20A 至 29A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFR4105ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 24.5 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRFR4105TRLPBF DPAK
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 55V 30A
International Rectifier(国际整流器)
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