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IRFR4510TRPBF
0.486
IRFR4510TRPBF 数据手册 (11 页)
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IRFR4510TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0111 Ω
极性
N-Channel
功耗
143 W
阈值电压
3 V
输入电容
3031 pF
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
63A
上升时间
42 ns
输入电容值(Ciss)
3031pF @50V(Vds)
下降时间
34 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
143W (Tc)

IRFR4510TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
6.73 mm
宽度
7.49 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFR4510TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.29 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.15 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.11 MByte

IRFR4510 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFR4510PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 100 V, 0.0111 ohm, 10 V, 3 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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