IRFR48ZPBF

￥ 0.35

IRFR48ZPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

N 通道功率 MOSFET 60A 至 79A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFR48ZPBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在9 页 10 页

IRFR48ZPBF 数据手册 (11 页)

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IRFR48ZPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

额定功率

91 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

11 mΩ

极性

N-CH

功耗

91 W

阈值电压

4 V

输入电容

1720pF @25V

漏源极电压(Vds)

55 V

漏源击穿电压

55 V

连续漏极电流(Ids)

62A

上升时间

61 ns

输入电容值(Ciss)

1720pF @25V(Vds)

下降时间

35 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

91W (Tc)

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IRFR48ZPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRFR48ZPBF 符合标准

IRFR48ZPBF 概述

IRFR48ZPBF 数据手册

IRFR48ZPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.34 MByte

IRFR48ZPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRFR48ZPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRFR48ZPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRFR48ZPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRFR48ZPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.06 MByte

IRFR48 数据手册

IRFR48ZPBF 数据手册

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N 通道功率 MOSFET 60A 至 79A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

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