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IRFR9024N
0.25
IRFR9024N 数据手册 (11 页)
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IRFR9024N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
DPAK-252
极性
P-CH
功耗
38 W
漏源极电压(Vds)
55 V
连续漏极电流(Ids)
11A
输入电容值(Ciss)
350pF @25V(Vds)
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
38000 mW

IRFR9024N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
2.39 mm

IRFR9024N 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 1.35 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRFR9024 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道增强型场效应晶体管 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Samsung(三星)
Vishay Intertechnology
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -60V , RDS(ON) = 0.28ohm ,ID = -8.8A ) Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-8.8A)
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